Июнь 2017
Пн Вт Ср Чт Пт Сб Вс
« Май    
 1234
567891011
12131415161718
19202122232425
2627282930  

Реклама

Новый терагерцовая технология позволяет «заглянуть» внутрь кристаллов полупроводников

| | Сегодня, 07:42 | Новости науки и техники
Новый терагерцовая технология позволяет «заглянуть» внутрь кристаллов полупроводников

Группа ученых из университета Эксетера (University of Exeter), университета Глазго (университет Глазго) и компания QinetiQ разработала технологию, которая позволяет видеть сквозь кремния положки и производить поиск мелких дефектов, возникших в процессе производства кристаллов полупроводников. В качестве доказательства состояния технологии, ученые произвели исследование кремниевого кристалла с подложкой, толщина 115 мкм, и дефекты были обнаружены путем регистрации аномалий движения электронов в полупроводниковом материале, который возникает под влиянием терагерцового излучения.

Проводящий кремний является прозрачным для терагерцового излучения, излучения, которая находится между инфракрасным и микроволновым диапазонами электромагнитного спектра с длиной волны 150 нм до 1.5 мм толщиной. Просветив, как рентгеновские лучи, терагерцовыми лучей районе кристалл-чип, размером 2 на 2 миллиметра, ученые получили довольно точное изображение структуры кристалла, в котором было видно, даже мелких дефектов.

В основу нового метода терагерцовой фотография-это титаново-сапфировый лазер с длиной волны 800 нм, который генерирует импульсы длительностью в несколько единиц и десятков фемтосекунд. Преобразования импульсов лазерного света импульсы терагерцового излучения осуществляется с помощью оптико-электронных и компонентов, изготовленных из теллурида цинка (ZnTe). Несколько стандартных оптических устройств используются для управления и фокусировки, полученные терагерцовых света в необходимую точку пространства, и обратного преобразования света в Электрический сигнал (контроль), осуществляется посредством компонентов, новый, изготовленных из теллурида цинка.

Высокое разрешение изображения, что достигается с помощью специальной модуляции импульсов терагерцового излучения, позволяет различать дефекты размерами до 8 мкм. И совершенствование этой технологии позволит разработать методы неразрушающего промышленного контроля, которые могут применяться в отраслях промышленности, занимающихся производством полупроводников.

И еще, в более долгосрочной перспективе, эти методы могут быть использованы для исследования тонких разрезов биологических тканей с целью выявления симптомов некоторых заболеваний. К сожалению, для исследования толстых слоев биологических тканей терагерцовое излучение подходит не очень хорошо. В конце концов, эти ткани содержат большое количество воды, молекулы, которые эффективно поглощают электромагнитные волны терагерцового диапазона.

Комментарии запрещены.

Макеевка | Горловка